优异的机械性能：氮化硅陶瓷基板具有很高的抗弯强度（通常可达600 MPa以上，甚至超过800 MPa）和断裂韧性（可达6-8 MPa·m¹/²）。这使得它非常坚固耐用，能够承受剧烈的机械振动和冲击，不易碎裂。其微观结构中的β相长柱状晶粒相互交织，形成类似“互锁网络”的三维强化骨架，能有效阻碍裂纹扩展，显著提升抗冲击性。

良好的热导率：通常在80-100 W/(m·K) 的范围，大约是氧化铝陶瓷基板的3倍多。这意味着它能有效地将芯片工作时产生的热量传导出去，防止器件因过热而失效。

低热膨胀系数：约为 3.0-3.2 × 10⁻⁶/K，与第三代半导体材料碳化硅（SiC）和单晶硅（Si）的热膨胀系数非常匹配。这在温度变化时能显著降低不同材料界面之间的热应力，防止因热疲劳导致的开裂、脱层等问题，极大提高了功率模块的可靠性和使用寿命。

卓越的抗热震性：其微观网络结构能缓冲因急剧温度变化产生的应力，避免基板开裂，能够承受多次的冷热循环。

良好的电绝缘性：氮化硅陶瓷具有很高的体积电阻率和击穿场强（击穿强度可超过20 kV/mm），能有效隔离高电压，保障功率模块在高压下的安全稳定运行，适配800V甚至更高电压的系统平台。

其他优异特性：还包括良好的化学稳定性，耐腐蚀、抗氧化；以及相对较低的介电常数和介质损耗，使其在高频射频场景（如5G毫米波频段）中也有应用潜力。